NECと東芝、次世代不揮発メモリ開発

NEC東芝が次世代の不揮発性メモリを開発したとのこと。
不揮発性のメモリっていうと、現行のEEPRAMといったもののような、電源を落としても内容が消えないメモリのこと。
難しいことはよくわかんないけど、安定性と発熱量を押さえることが出来たんだって。

両社は今回、新たに多層構造記録層を有するMTJ素子を開発し、本記録層の層間の磁気結合の強さを調節。低電流で、従来の5倍となる書込みマージンの広いスイッチング特性を実現したという。また、層数を増やすことで、熱安定性と電流増大の抑制を両立させたとしている。
 MRAMは記録層の磁化方向によりデータを蓄積する不揮発性メモリで、高速、低電圧動作、書換え回数無限、CMOSバイスとの混載の容易さなどの特徴から、次世代不揮発メモリデバイスとして注目されている。

昔はバッテリーバックアップなんてありましたね(笑)。常に通電していないといけないから、電池が切れるとメモリの内容が消えちゃうんだ。

一方(笑)

FRAMは、強誘電体膜をデータ保持用のキャパシタに利用した不発揮性メモリで、EEPROMと比べ書き込み/読み込み動作の高速化、低電力化が可能。また、10億回以上の書き換え可能回数を実現しているという。

MRAMの方が優れてそう。