現在のLSIの主流は90nm(ナノミリメートル)プロセス。次世代は65nm。その先の45nmプロセスLSIロジックについて、東芝、NECエレクトロニクス、ソニーが共同で研究開発していくとのこと。東芝とソニーはCellで65nmプロセスを実現済。
東芝とNECエレクトロニクスは9日、次々世代の半導体プロセスである45nm CMOSロジックプロセス技術について、共同開発することで合意したと発表した。微細化の進展に伴って増大する開発コストを分担し、システムLSIの開発負担を低減することが狙い。東芝はすでにソニーとも共同開発を進めており、NECエレクトロニクスがこれに加わる形となる。
LSIの集積率が上がれば上がるほど、チップ自体の体積が減り、消費電力、発熱量も減る事になります。さらに１度にプリントできるウェハースの量が増えると、コストが下がるというあんばい。大変重要なんです。
ちなみに、東芝、ソニーの45nmプロセス技術開発について2005年末終了予定だったが、2007年初旬に遅れているという……。世界に後れを取らないようにがんばっていただきたい。
